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服部 高典; 有馬 寛; 佐野 亜沙美; 阿部 淳; 本田 充紀; 深澤 裕; 内海 渉; 奥地 拓生*; 大野 祥希*; 佐々木 重雄*; et al.
no journal, ,
試料が微小な高圧実験において、中性子のソースフラックスが小さいことから、10GPaを超える圧力下での中性子実験は一部の者に限られてきた。世界における近年のパルス中性子施設の建設により、高強度の中性子フラックスが得られるようになり、状況が変わりつつある。われわれも日本にできた新しいパルス中性子施設JSNSに触発され、高圧中性子実験を始めている。おもにこれらは2つの方策からなり、(1)既存の中性子ビームライン(NOVA, 匠)における高圧実験、(2)高圧専用の中性子ビームライン建設を行っている。本発表では、それらのアクティビティーを紹介する。
立岩 尚之
no journal, ,
-USは0.1Kまで磁気転移を示さない非磁性半導体であり、その伝導ギャップは90K程度と見積もられている。過去の高圧下電気抵抗測定から1GPa以上で圧力誘起秩序相が存在することが示唆されたものの、その起源はよくわかっていなかった。本研究では圧力誘起秩序相の起源を明らかにするため、-USの高圧下磁化測定を行い、1GPa以上で強磁性相が誘起されることを明らかにした。自発磁化の値は2.24GPaで0.1 /U未満である。-USのウラン5f電子の結晶場基底状態はsingletであることを考慮すると、希土類プラセオジム化合物PrTlで議論された「exchange-induced type」の強磁性が誘起されたことが示唆される。